ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transist
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 110 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7103TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772690
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.13 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики, S
3.8
Корпус
soic-8
Пороговое напряжение на затворе
1…3
Техническая документация
IRF7103 , pdf
, 172 КБ
irf7103pbf-1 , pdf
, 276 КБ
IRF7103TRPBF , pdf
, 305 КБ
Datasheet IRF7103TRPBF , pdf
, 304 КБ