IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A [DIRECTFET-MX], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Описание

• Совместимость с двусторонним охлаждением
• Сверхнизкая индуктивность корпуса
• Оптимизирована для высокочастотного переключения
• Оптимизирована как для синхронных полевых транзисторов, так и для некоторых приложений управляющих полевых транзисторов
• Низкие потери проводимости и переключения < br> • Аттестация продукта в соответствии со стандартом JEDEC
• Высокая пропускная способность по току
• Оптимальные тепловые характеристики
• Компактный форм-фактор и высокая эффективность
• Экологичность

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF6727MTRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811924

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

DirectFET MX

Рассеиваемая Мощность

89Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

180А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.00122Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.8В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

1.3

Линейка Продукции

HEXFET Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Техническая документация

IRF6727MPBF datasheet , pdf , 259 КБ
Infineon_IRF6727M_DataSheet_v01_01_EN-1732612 , pdf , 260 КБ

IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A [DIRECTFET-MX] - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.

Техническая документация