ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF6717MTRPBF, Транзистор Nкан 25В 38А, [DirectFET-MX] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF6717MTRPBF, Транзистор Nкан 25В 38А, [DirectFET-MX]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF6717MTRPBF, Транзистор Nкан 25В 38А, [DirectFET-MX]
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF6717MTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772683
Технические параметры
Вес, г
1.3
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
38
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.00125 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
96
Крутизна характеристики, S
140
Корпус
DirectFET-MZ
Пороговое напряжение на затворе
1.35…2.35
Техническая документация
IRF6717M datasheet , pdf
, 245 КБ