ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ]
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Digital Audio MOSFET, Infineon
усилители класса D быстро становятся предпочтительным решением для профессиональных и домашних аудио- и видеосистем. Infineon предлагает широкий ассортимент, упрощающий проектирование высокоэффективных усилителей класса D.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF6643TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772680
Технические параметры
Вес, г
1.3
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0345 Ом/7.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
89
Крутизна характеристики, S
16
Корпус
DirectFET-MZ
Пороговое напряжение на затворе
3…4.9
Техническая документация
IRF6643 , pdf
, 446 КБ
Datasheet IRF6643TRPBF , pdf
, 440 КБ