IRF644SPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 8,5А, 125Вт, D2PAK, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

IRF644SPBF - это силовой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением и оптимальным сочетанием быстрого переключения, прочной конструкции устройства и низкого сопротивления включению. D2PAK - это силовой агрегат для поверхностного монтажа, вмещающий кристаллы размером до HEX-4. Он обеспечивает максимальную мощность среди всех существующих корпусов для поверхностного монтажа. D2PAK подходит для сильноточных приложений из-за низкого внутреннего сопротивления соединения и может рассеивать до 2 Вт в типичном применении для поверхностного монтажа.

• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Простота параллельного подключения
• Простые требования к приводу
• Без галогенов
• Монтаж на поверхности

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRF644SPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2176775

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.47

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

9.65мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

IRF

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

10.67мм

Высота

4.83мм

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Id - непрерывный ток утечки

14 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

6.7 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRF644 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

14 А

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

280 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1300 pF @ 25 V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

280 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8.4A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Qg - заряд затвора

68 nC

Время нарастания

24 ns

Время спада

49 ns

Типичное время задержки выключения

53 нс

Типичное время задержки при включении

11 ns

Типичное время задержки включения

11 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

68 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 185 КБ
Datasheet IRF644SPBF , pdf , 244 КБ
Datasheet IRF644SPBF , pdf , 167 КБ

IRF644SPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 8,5А, 125Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.

Техническая документация