ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF640SPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRF640SPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF640SPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор N-Chan 200V 18 Amp
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRF640SPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772677
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.18 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
130
Крутизна характеристики, S
6.7
Корпус
D2PAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе
4
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 210 КБ
Datasheet IRF640SPBF , pdf
, 173 КБ