IRF640NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 313 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF640NSTRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772676

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.15 Ом/11А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

150

Крутизна характеристики, S

6.8

Корпус

D2PAK(2 Leads+Tab)

Техническая документация

Datasheet IRF640N, IRF640NS, IRF640NL , pdf , 337 КБ

IRF640NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 313 руб.

Техническая документация