IRF640NPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 67 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.15ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 72A No. of Pins 3 Power Dissipation 150W Power, Pd 150W Thermal Resistance, Junction to Case A 1°C/W Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF640NPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1610906

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.15 Ом/11А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

150

Крутизна характеристики, S

6.8

Корпус

TO-220AB

Пороговое напряжение на затворе

2…4

Техническая документация

IRF640N Datasheet , pdf , 244 КБ
Datasheet IRF640N, IRF640NS, IRF640NL , pdf , 337 КБ

IRF640NPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 67 руб.

Техническая документация