IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 59 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 150 В до 600 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF630NSTRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772673

Технические параметры

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

9.3 A

Maximum Power Dissipation

82 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.3mm

Height

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

IRF630NPBF Datasheet , pdf , 336 КБ
Datasheet , pdf , 345 КБ
irf630npbf , pdf , 338 КБ

IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 59 руб.

Техническая документация