ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]
Последняя цена
50 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
IRF630
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772671
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
74
Крутизна характеристики, S
3.8
Корпус
TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
IRF630 datasheet , pdf
, 177 КБ