IRF6217TRPBF, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 700 мА, 2.4 Ом, SOIC, Surface Mount, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Одиночные МОП-транзисторы

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF6217TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1252344

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.5Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

150В

Непрерывный Ток Стока

700мА

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

2.4Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Линейка Продукции

HEXFET Series

Максимальный непрерывный ток стока

700 mA

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2.4 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

14 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

6 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

150 pF @ -25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Крутизна характеристики S,А/В

0.55

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

-5

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

2400

Температура, С

-55…+150

Техническая документация

Datasheet IRF6217TRPBF , pdf , 126 КБ

IRF6217TRPBF, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 700 мА, 2.4 Ом, SOIC, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация