IRF6216TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 150В, 2.2А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF6216TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772670

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

2,2 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

240 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

33 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

18 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

33 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1280 пФ при -25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

irf6216pbf , pdf , 126 КБ
Datasheet , pdf , 194 КБ

IRF6216TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 150В, 2.2А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация