IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 42 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF6216PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772669

Технические параметры

Вес, г

0.15

Структура

p-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

150

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

2.2

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.24 Ом/1.3А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

2.5

Крутизна характеристики, S

2.7

Корпус

soic-8

Пороговое напряжение на затворе

-3…-5

Особенности

интеллектуальный ключ с защитой

Техническая документация

IRF6216PBF Datasheet , pdf , 125 КБ

IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 42 руб.

Техническая документация