IRF6201TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 20В, 27А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF6201TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772667

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

27 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2,7 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

320 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

29 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

130 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

8555 пФ при 16 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Техническая документация

irf6201pbf , pdf , 249 КБ

IRF6201TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 20В, 27А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация