IRF540NLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 78 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF540NLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2408950

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Package Type

I2PAK (TO-262)

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.5 mm

Высота

9.45 mm

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

10.67mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

44 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

71 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Прямое напряжение диода

1.2V

Base Product Number

IRF540 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

33A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

Power Dissipation (Max)

130W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 16A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-262

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

33 A

Pd - рассеивание мощности

140 W

Qg - заряд затвора

47.3 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

44 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

10.2 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

HEXFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

TO-262-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

I2PAK(TO-262)

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Single

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

71 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Power Dissipation

130 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Height

9.65mm

Maximum Drain Source Resistance

44 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Forward Transconductance

21s

Dimensions

10.67 x 4.83 x 9.65mm

Typical Turn-On Delay Time

11 ns

Typical Turn-Off Delay Time

39 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet IRF540NLPBF , pdf , 278 КБ
Datasheet IRF540NLPBF , pdf , 289 КБ
Datasheet , pdf , 281 КБ

IRF540NLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 78 руб.

Техническая документация