ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF530SPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRF530SPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF530SPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Последняя цена
45 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 100V N-CH HEXFET D2-PAK
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRF530SPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2399396
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Brand
Vishay
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
3
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
88 W
Qg - заряд затвора
26 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
IRF
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
TO-263-3
Упаковка
Tube
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)
14
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
160@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Maximum Power Dissipation (mW)
3700
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Part Status
Active
PCB changed
2
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-263
Supplier Package
D2PAK
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
670@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
26(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
26(Max)
Typical Fall Time (ns)
24
Typical Rise Time (ns)
34
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
23
Typical Turn-On Delay Time (ns)
10
Automotive
No
Military
No
Package Height
4.83(Max)
Package Length
10.41(Max)
Package Width
9.65(Max)
Tab
Tab
Страна происхождения
CN
Техническая документация
Datasheet IRF530SPBF , pdf
, 171 КБ
Datasheet IRF530SPBF , pdf
, 175 КБ
Datasheet , pdf
, 173 КБ
Datasheet , pdf
, 171 КБ