IRF4905LPBF, P Канал, 74 А, -55 В, 20 мОм, -10 В, 4, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 410 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF4905LPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808411

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.367

Максимальный непрерывный ток стока

74 A

Максимальное рассеяние мощности

3,8 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Высота

10.54мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

20 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

61 нс

Тип корпуса

I2PAK (TO-262)

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

18 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

180 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

3400 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IRF4905S, IRF4905L , pdf , 362 КБ
Datasheet IRF4905LPBF , pdf , 368 КБ

IRF4905LPBF, P Канал, 74 А, -55 В, 20 мОм, -10 В, 4 - характеристики, поставщики

Последняя цена 410 руб.

Техническая документация