IRF3315STRLPBF, Микросхема, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF3315STRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819011

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное рассеяние мощности

94 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

82 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

49 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

9.6 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

95 нКл

Типичная входная емкость при Vds

1300 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

IRF3315SPBF Datasheet , pdf , 386 КБ

IRF3315STRLPBF, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация