IRF3007PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 75В, 80А, 200Вт, TO220AB, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF3007PBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2144666

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.94

Ширина

4.4 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Тип

Automotive MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10 mm

Высота

15.65 mm

Id - непрерывный ток утечки

80 A

Pd - рассеивание мощности

200 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

75 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

12.6 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

89 nC

Время нарастания

80 ns

Время спада

49 ns

Типичное время задержки выключения

55 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Другие названия товара №

SP001571144

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

75A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

200W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

75V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IRF3007PBF , pdf , 264 КБ
Datasheet IRF3007PBF , pdf , 263 КБ

IRF3007PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 75В, 80А, 200Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация