IRF1405ZPBF, MOSFET транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

транзисторы полевые импортные

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF1405ZPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2371973

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Максимальный непрерывный ток стока

150 А

Максимальное рассеяние мощности

230 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.67mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

4,9 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Typical Gate Charge @ Vgs

120 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

IRF1405 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

75A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4780pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

230W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 75A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

150 A

Pd - рассеивание мощности

230 W

Qg - заряд затвора

120 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.9 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

55 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

10.67мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

HEXFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

48 нс

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

18 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4780 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Height

16.51mm

Maximum Drain Source Voltage

55 В

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 397 КБ
Datasheet IRF1405ZPBF , pdf , 406 КБ
Datasheet IRF1405ZPBF , pdf , 398 КБ

IRF1405ZPBF, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация