IRF1404LPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 162А, 200Вт, TO262, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF1404LPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2311098

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.59

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

I2PAK (TO-262)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.5 mm

Height

10.54мм

Maximum Drain Source Voltage

40 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

I2PAK (TO-262)

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

HEXFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.2 mm

Высота

10.54мм

Id - непрерывный ток утечки

162 A

Pd - рассеивание мощности

200 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-262-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRF1404 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-262

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

142 л

Максимальное рассеяние мощности

3,8 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

7360 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

162A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7360pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Series

HEXFETВ® ->

Maximum Drain Source Resistance

4 мΩ

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

160 nC

Типичное время задержки выключения

72 ns

Типичное время задержки включения

17 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

160 nC @ 10 V

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

162A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

4mО© @ 95A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 275 КБ
Datasheet , pdf , 273 КБ

IRF1404LPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 162А, 200Вт, TO262 - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.

Техническая документация