ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPW90R1K0C3FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 3,6А, 89Вт, PG-TO247, CoolMOS™ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPW90R1K0C3FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 3,6А, 89Вт, PG-TO24…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IPW90R1K0C3FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 3,6А, 89Вт, PG-TO247, CoolMOS™
Последняя цена
360 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPW90R1K0C3FKSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2185698
Технические параметры
Вес, г
6.12
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.13mm
Brand
Infineon
Тип корпуса
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
5.21mm
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Число контактов
3
Channel Type
N
Transistor Configuration
Single
Package Type
TO-247
Width
21.1mm
Pin Count
3
Максимальный непрерывный ток стока
5,7 A
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Материал транзистора
Кремний
Тип канала
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
5.7 A
Maximum Power Dissipation
89 W
Series
CoolMOS C3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Forward Diode Voltage
1.2V