IPW65R110CFDFKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 31,2А, 277,8Вт, PG-TO247, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 800 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Силовой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CFD

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPW65R110CFDFKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2197728

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.1

Length

16.13мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Ширина

5.21мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

5.21мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

240

Серия

CoolMOS CFD

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

16.13мм

Высота

21.1мм

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1мм

Id - непрерывный ток утечки

31.2 A

Pd - рассеивание мощности

277.8 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное рассеяние мощности

277,8 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

700 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

3240 пФ при 100 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

99 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

277.8 W

Series

CoolMOS CFD

Maximum Drain Source Resistance

110 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

118 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

118 nC

Время нарастания

11 ns

Время спада

6 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

68 нс

Типичное время задержки при включении

16 ns

Типичное время задержки включения

16 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Другие названия товара №

IPW65R110CFD IPW65R11CFDXK SP000895232

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 3854 КБ
Datasheet , pdf , 3855 КБ

IPW65R110CFDFKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 31,2А, 277,8Вт, PG-TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 800 руб.

Техническая документация