IPW65R099C6FKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 38А, 278Вт, PG-TO247, CoolMOS™, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 870 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 700V 38A TO247-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPW65R099C6FKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2118175

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.1

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.21 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

240

Серия

CoolMOS C6

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

16.13 mm

Высота

21.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

38 A

Pd - рассеивание мощности

278 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPW65R099 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

89 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

38A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2780pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

278W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 12.8A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.2mA

Series

CoolMOSв„ў ->

Qg - заряд затвора

127 nC

Время нарастания

9 ns

Время спада

6 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

77 ns

Типичное время задержки при включении

10.6 ns

Другие названия товара №

IPW65R099C6 SP000896396

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

127nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPW65R099C6FKSA1 , pdf , 3829 КБ

IPW65R099C6FKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 38А, 278Вт, PG-TO247, CoolMOS™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 870 руб.

Техническая документация