IPW60R125CPFKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 25А, 208Вт, PG-TO247-3-1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 780 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CP

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPW60R125CPFKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1252148

Технические параметры

Вес, г

6.08

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.13mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

21.1mm

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-247

Width

5.21mm

Pin Count

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Power Dissipation

208 W

Series

CoolMOS CP

Maximum Drain Source Resistance

125 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

53 nC

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Forward Diode Voltage

1.2V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

IPW60R125CPFKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 25А, 208Вт, PG-TO247-3-1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 780 руб.