IPW60R125C6, Транзистор MOSFET N-Channel 600V 30A [PG-TO247-3], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 680 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C6 / C7

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPW60R125C6

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1818627

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247

Transistor Material

Length

16.13mm

Brand

Infineon

Series

CoolMOS C6

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

96 nC

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Power Dissipation

219 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.21mm

Height

21.1mm

Maximum Drain Source Resistance

125 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1276 КБ
Datasheet , pdf , 1258 КБ

IPW60R125C6, Транзистор MOSFET N-Channel 600V 30A [PG-TO247-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 680 руб.

Техническая документация