ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPW60R070C6, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPW60R070C6, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPW60R070C6, Транзистор
Последняя цена
1230 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C6 / C7
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPW60R070C6
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1806512
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
53 A
Максимальное рассеяние мощности
391 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
16.13мм
Серия
CoolMOS C6
Типичное время задержки выключения
83 нс
Тип корпуса
TO-247
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3800 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В