ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPW60R040C7XKSA1, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPW60R040C7XKSA1, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPW60R040C7XKSA1, Транзистор
Последняя цена
1050 руб.
Сравнить
Описание
N-канал 600V 50A (Tc) 227W (Tc) сквозное отверстие PG-TO247-3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPW60R040C7XKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1645507
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное рассеяние мощности
227 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
0.9V
Длина
16.13мм
Серия
IPW60R040C7
Типичное время задержки выключения
81 ns
Тип корпуса
TO 247
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18,5 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
107 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
4340 пФ при 400 В
Максимальное напряжение затвор-исток
20 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1601 КБ