IPU95R3K7P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 1,4А, 22Вт, IPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 950 V CoolMOS P7

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPU95R3K7P7AKMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2182198

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1500

Серия

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

2 A

Pd - рассеивание мощности

22 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

950 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

IPAK-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPU95R3 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

950V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO251-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.7 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

196pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

22W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 800mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 40ВµA

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Qg - заряд затвора

6 nC

Время нарастания

23 ns

Время спада

40 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

46 ns

Типичное время задержки при включении

7ns

Другие названия товара №

IPU95R3K7P7

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1319 КБ

IPU95R3K7P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 1,4А, 22Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация