IPU95R2K0P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 2,4А, 37Вт, IPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор LOW POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPU95R2K0P7AKMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2130855

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1500

Серия

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

37 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

950 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

IPAK-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

10 nC

Время нарастания

13 ns

Время спада

18 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

41 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Другие названия товара №

IPU95R2K0P7 SP001821828

Техническая документация

Datasheet IPU95R2K0P7AKMA1 , pdf , 1339 КБ
Datasheet IPU95R2K0P7AKMA1 , pdf , 1280 КБ

IPU95R2K0P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 2,4А, 37Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация