IPU80R1K2P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 3,1А, 37Вт, IPAK
• Лучший в своем классе FOM (показатель качества) RDS (вкл.) * Eoss (коммутационные потери) • Лучший в своем классе DPAK RDS (вкл.) 280 МОм • Обеспечение конструкции с более высокой плотностью мощности, экономия спецификаций и Снижение затрат на сборку • Лучший в классе V (GS) -й из 3 В и наименьший V (GS) -й вариант ± 0,5 В • Простота вождения и проектирования • Класс 1C (HBM) , класс 2 (HBM), класс C3 (CDM), встроенная защита от электростатических разрядов на стабилитронах • Повышение производительности за счет снижения количества отказов, связанных с электростатическими разрядами • Лучшее в своем классе качество и надежность • Полностью оптимизированное портфолио, простой выбор правильные детали для точной настройки дизайна • Простота использования - неотъемлемая черта этого семейства продуктов
