IPT007N06NATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 300 А, 60 В, 0.00066 Ом, 10 В, 2.8 В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 670 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор в корпусе HSOF, 300 А, 60 В, 0.66 мОм

Характеристики:

Полярность: N;

Напряжение сток-исток: 60 В;

Ток: 300 А;

Сопротивление сток-исток, макс.: 0.75 мОм при 150 А, 10 В;

Пороговое напряжение затвор-исток: 2.1 В;

Напряжение затвор-исток: ±20 В;

Заряд затвора: 216 нКл;

Рассеиваемая мощность: 375 Вт;

Рабочая температура: -55...+175 °С;

Размеры: 10.58х10.1х2.4 мм;

Корпус: PG-HSOF-8

Корпус PGHSOF8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 300 А, Сопротивление открытого канала (мин) 750 мкОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPT007N06NATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1809065

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 c

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

hsof

Рассеиваемая Мощность

375вт

Полярность Транзистора

n канал

Напряжение Истока-стока Vds

60в

Непрерывный Ток Стока

300а

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

660мком

Напряжение Измерения Rds(on)

10в

Пороговое Напряжение Vgs

2.8в

Transistor Mounting

surface mount

Вес, г

1.055

Техническая документация

Datasheet IPT007N06NATMA1 , pdf , 1238 КБ

IPT007N06NATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 300 А, 60 В, 0.00066 Ом, 10 В, 2.8 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 670 руб.

Техническая документация