ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPSA70R1K4P7SAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPSA70R1K4P7SAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPSA70R1K4P7SAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Последняя цена
25 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор CONSUMER
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2421568
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Series
CoolMOSв„ў P7 ->
Минимальная рабочая температура
40 C
Base Product Number
IPSA70 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 400V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
158pF @ 400V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max)
22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40ВµA
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
22.7 W
Qg - заряд затвора
4.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.15 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
700 V
Vgs - напряжение затвор-исток
16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
4.9 ns
Время спада
61 ns
Другие названия товара №
IPSA70R1K4P7S SP001664778
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
63 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
PG-TO-251-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IPSA70R1K4P7SAKMA1 , pdf
, 872 КБ
Datasheet IPSA70R1K4P7SAKMA1 , pdf
, 1036 КБ