IPP80R360P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 8,6А, 84Вт, PG-TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-МОП-транзистор

Технологии: CoolMOS P7;

Поляризация: униполярный;

Давление стока: 800 В;

Сливной ток: 8.6 А;

Мощность: 84 Вт;

Корпус: PG-TO220-3;

Входное напряжение: ± 20 В;

Сопротивление состояния: 360 мОм;

Монтаж: THT;

Заряд батареи: 30 нс

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 310 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP80R360P7XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2117907

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

IPP80R360 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

13A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 500V

Power Dissipation (Max)

84W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 280ВµA

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPP80R360P7XKSA1 , pdf , 984 КБ
Datasheet IPP80R360P7XKSA1 , pdf , 967 КБ

IPP80R360P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 8,6А, 84Вт, PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.

Техническая документация