IPP65R095C7XKSA1 MOSFET транзистор IPP65R095C7 SP001080122 INF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP65R095C7XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2070338

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Ширина

4.4 mm

Высота

15.65 mm

Series

CoolMOSв„ў C7 ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IPP65R095 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

24A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2140pF @ 400V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

128W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 11.8A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 590ВµA

Id - непрерывный ток утечки

24 A

Pd - рассеивание мощности

128 W

Qg - заряд затвора

45 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

84 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

12 ns

Время спада

7 ns

Длина

10 mm

Другие названия товара №

IPP65R095C7 SP001080122

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS C7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet , pdf , 881 КБ
Datasheet IPP65R095C7XKSA1 , pdf , 1570 КБ
Datasheet IPP65R095C7XKSA1 , pdf , 1630 КБ

IPP65R095C7XKSA1 MOSFET транзистор IPP65R095C7 SP001080122 INF - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.

Техническая документация