IPP65R065C7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 33 А, 0.058 Ом, TO-220, Through Hole, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 639 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

N-канал 650V 33A (Tc) 171W (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP65R065C7XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251921

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-220

Рассеиваемая Мощность

171Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

33А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.058Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3.5В

Transistor Mounting

Through Hole

Линейка Продукции

CoolMOS C7 Series

Series

CoolMOSв„ў C7 ->

Base Product Number

IPP65R065 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

33A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3020pF @ 400V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

171W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 17.1A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 850ВµA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1671 КБ

IPP65R065C7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 33 А, 0.058 Ом, TO-220, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 639 руб.

Техническая документация