IPP60R280P6XKSA1 транзистор, N-Channel MOSFET, 13.8 A, 650 V, 3-Pin TO-220, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии Infineon CoolMOS ™ E6 / P6
Серия Infineon МОП-транзисторов серии CoolMOS ™ E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут использоваться в нескольких приложениях, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), осветительные и потребительские устройства, а также солнечные батареи, телекоммуникации и серверы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP60R280P6XKSA1 транзистор

P/N

IPP60R280P6XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1812482

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-220

Transistor Material

Length

10.36mm

Brand

Infineon

Series

CoolMOS P6

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

25.5 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

13.8 A

Maximum Power Dissipation

104 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

15.95mm

Height

4.57mm

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

0.9V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2990 КБ

IPP60R280P6XKSA1 транзистор, N-Channel MOSFET, 13.8 A, 650 V, 3-Pin TO-220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация