IPP60R099P6XKSA1, Микросхема, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 401 руб.

Сравнить

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии Infineon CoolMOS ™ E6 / P6
Серия Infineon МОП-транзисторов серии CoolMOS ™ E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут использоваться в нескольких приложениях, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), осветительные и потребительские устройства, а также солнечные батареи, телекоммуникации и серверы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP60R099P6XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251903

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-220

Высота

15.95mm

Length

10.36mm

Brand

Infineon

Pin Count

3 + Tab

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Серия

CoolMOS P6

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

37.9 A

Maximum Power Dissipation

278 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.57мм

Maximum Drain Source Resistance

99 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

0.9V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2270 КБ
Datasheet IPP60R099P6XKSA1 , pdf , 2607 КБ

IPP60R099P6XKSA1, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 401 руб.

Техническая документация