IPP60R099CPXKSA1, MOSFET транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 613 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CP

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP60R099CPXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1706825

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное рассеяние мощности

255 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Высота

9.45мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

99 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

650 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.36мм

Серия

CoolMOS CP

Типичное время задержки выключения

60 ns

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.36 x 4.57 x 9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

60 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

2800 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IPP60R099CPXKSA1 , pdf , 572 КБ

IPP60R099CPXKSA1, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 613 руб.

Техническая документация