ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPP60R099C6XKSA1, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPP60R099C6XKSA1, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPP60R099C6XKSA1, Транзистор
Последняя цена
1250 руб.
Сравнить
Описание
N-Ch 600V 37.9A 278W 0.099R TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 37.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 99 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPP60R099C6XKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809808
Технические параметры
Вес, г
2.8
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.65mm
Brand
Infineon
Series
CoolMOS C6
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Power Dissipation
35 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.9mm
Height
16.15mm
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
0.9V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 994 КБ
Datasheet IPP60R099C6XKSA1 , pdf
, 1228 КБ
