IPP600N25N3 G, Транзистор, MOSFET, N-CH, 250V, 25A, TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 500 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP600N25N3 G, Транзистор

P/N

IPP600N25N3G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1805999

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.4

Максимальный непрерывный ток стока

25 A

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Высота

15.95мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 МОм

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.36мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

22 ns

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

22 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1770 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

IPP600N25N3 G, Транзистор, MOSFET, N-CH, 250V, 25A, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 500 руб.