IPP220N25NFDAKSA1, Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 422 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Полевой МОП-транзистор Infineon OptiMOS ™ FD

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP220N25NFDAKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2411982

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220

Ширина

4.4 mm

Высота

15.65 mm

Transistor Material

Length

10.36mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS FD

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

IPP220 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

61A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7076pF @ 125V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 61A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 270ВµA

Id - непрерывный ток утечки

61 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Qg - заряд затвора

86 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

19 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

10 ns

Время спада

8 ns

Длина

10 mm

Другие названия товара №

IPP220N25NFD SP001108126

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

60 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS Fast Diode

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

26 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

61 A

Maximum Power Dissipation

300 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.57mm

Height

15.95mm

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

Datasheet IPP220N25NFDAKSA1 , pdf , 1293 КБ

IPP220N25NFDAKSA1, Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 422 руб.

Техническая документация