IPP180N10N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 43A TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP180N10N3GXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1621401

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220

Transistor Material

Length

10.36mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

43 A

Maximum Power Dissipation

71 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.57mm

Height

15.95mm

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 557 КБ
Datasheet , pdf , 122 КБ

IPP180N10N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 43A TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация