IPP120N04S302, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ T, полевой, 40В, 120А, 300Вт, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 740 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 40V 120A (Tc) 300W (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3-1

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP120N04S302AKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2159496

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

IPP120 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3-1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

14300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 80A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 230ВµA

Series

OptiMOSв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

IPP120N04S302, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ T, полевой, 40В, 120А, 300Вт - характеристики, поставщики

Последняя цена 740 руб.