IPP111N15N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 83А, 214Вт, PG-TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 540 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP111N15N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2120180

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.04

Ширина

4.4 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10 mm

Высота

15.65 mm

Id - непрерывный ток утечки

83 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

47 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

9.4 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

55 nC

Время нарастания

35 ns

Время спада

9 ns

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

32 ns

Типичное время задержки при включении

17 ns

Другие названия товара №

IPP111N15N3 G SP000677860

Техническая документация

Datasheet , pdf , 741 КБ

IPP111N15N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 83А, 214Вт, PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 540 руб.

Техническая документация