ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPP076N15N5AKSA1, Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPP076N15N5AKSA1, Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPP076N15N5AKSA1, Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Последняя цена
312 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 112 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.9 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPP076N15N5AKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2401551
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
4.4 mm
Высота
15.65 mm
Series
OptiMOSв„ў 5 ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
IPP076 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
112A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 75V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 56A, 10
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 160ВµA
FET Feature
Standard
Id - непрерывный ток утечки
112 A
Pd - рассеивание мощности
214 W
Qg - заряд затвора
61 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
150 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
4 ns
Время спада
4 ns
Длина
10 mm
Другие названия товара №
IPP076N15N5 SP001180658
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
OptiMOS
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
45 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
OptiMOS 5
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
14 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1678 КБ
Datasheet IPP076N15N5AKSA1 , pdf
, 1628 КБ