IPP076N12N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 100А; 188Вт; PG-TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 700 руб.

Сравнить

Описание

N-канал 120V 100A (Tc) 188W (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP076N12N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1772378

Технические параметры

Вес, г

2.067

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

IPP076 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

120V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6640pF @ 60V

Power Dissipation (Max)

188W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 130ВµA

Series

OptiMOSв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

101nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPP076N12N3GXKSA1 , pdf , 546 КБ

IPP076N12N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 100А; 188Вт; PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 700 руб.

Техническая документация