IPP05CN10N G, Транзистор N-Channel 100V 100, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 420 руб.

Сравнить

Описание

Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2
Infineon, семейство N-каналов OptiMOS ™ 2 предлагает самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии в пределах своей группы напряжений. Серия Power MOSFET может использоваться во многих приложениях, включая высокочастотные телекоммуникационные системы, устройства передачи данных, солнечные батареи, низковольтные приводы и серверные источники питания. Семейство продуктов OptiMOS 2 варьируется от 20 В и выше и предлагает выбор различных типов корпусов.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP05CN10N G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1818611

Технические параметры

Вес, г

1.25

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220

Transistor Material

Length

10.36mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 2

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

136 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Power Dissipation

300 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.57mm

Height

15.95mm

Maximum Drain Source Resistance

5.4 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Forward Transconductance

162s

Dimensions

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Typical Turn-On Delay Time

28 ns

Typical Turn-Off Delay Time

64 ns

IPP05CN10N G, Транзистор N-Channel 100V 100 - характеристики, поставщики

Последняя цена 420 руб.