ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPP048N12N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 120В, 120А, 300Вт, Ugs ±20В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPP048N12N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 120В, 120А, 30…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IPP048N12N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 120В, 120А, 300Вт, Ugs ±20В
Последняя цена
215 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPP048N12N3GXKSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1251876
Технические параметры
Вес, г
2.09
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Brand
Infineon
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
15.95mm
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Channel Type
N
Transistor Configuration
Single
Package Type
TO-220
Width
4.57mm
Pin Count
3
Base Product Number
IPP048 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
120V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 60V
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 100A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230ВµA
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Power Dissipation
300 W
Series
OptiMOS 3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
137 nC
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.2V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
182nC @ 10V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Техническая документация
Datasheet IPP048N12N3GXKSA1 , pdf
, 567 КБ
