IPP045N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 214Вт, Ugs ±20В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 370 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-CH 100V 100A 4.2mOhm TO220-3
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP045N10N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2196090

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

3.14

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.4 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10 mm

Высота

15.65 mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

73 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PG-TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPP045 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8410pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 150ВµA

Series

OptiMOSв„ў ->

Qg - заряд затвора

88 nC

Время нарастания

59 ns

Время спада

14 ns

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

48 ns

Типичное время задержки при включении

27 ns

Другие названия товара №

G IPP045N10N3 IPP45N1N3GXK SP000680794

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPP045N10N3GXKSA1 , pdf , 1659 КБ
Datasheet IPP045N10N3GXKSA1 , pdf , 749 КБ
Datasheet , pdf , 1611 КБ

IPP045N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 214Вт, Ugs ±20В - характеристики, поставщики

Последняя цена 370 руб.

Техническая документация